IPB60R099C7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB60R099C7ATMA1 | IPB60R099C7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB60R099C7ATMA1

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IPB60R099C7ATMA1
LIXINC Part #	IPB60R099C7ATMA1
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IPB60R099C7ATMA1 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 28 - Oct 02 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IPB60R099C7ATMA1 تحديد

رقم القطعة:	IPB60R099C7ATMA1
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	CoolMOS™ C7
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	650 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	22A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	99mOhm @ 9.7A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 490µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	42 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	1819 pF @ 400 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	PG-TO263-3
حزمة / حالة:	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015