MUN5112DW1T1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MUN5112DW1T1G

MUN5112DW1T1G

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	MUN5112DW1T1G
LIXINC Part #	MUN5112DW1T1G
الصانع	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - ثنائي القطب (bjt) - صفائف ، متحيزة مسبقًا
وصف	TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	MUN5112DW1T1G بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 07 - Oct 11 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

MUN5112DW1T1G تحديد

رقم القطعة:	MUN5112DW1T1G
ماركة:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - ثنائي القطب (bjt) - صفائف ، متحيزة مسبقًا
الصانع:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)
حالة الجزء:	Active
نوع الترانزستور:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
جامع التيار (ic) (حد أقصى):	100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (حد أقصى):	50V
المقاوم - القاعدة (r1):	22kOhms
المقاوم - قاعدة باعث (r2):	22kOhms
الكسب الحالي للتيار المستمر (hfe) (دقيقة) @ ic ، vce:	60 @ 5mA, 10V
vce تشبع (حد أقصى) @ ib، ic:	250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع الجامع (حد أقصى):	500nA
التردد - الانتقال:	-
أقصى القوة:	250mW
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة / حالة:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد:	SC-88/SC70-6/SOT-363

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.05576	$0.05576

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015