RN2707JE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2707JE(TE85L,F) | RN2707JE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

RN2707JE(TE85L,F)

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	RN2707JE(TE85L,F)
LIXINC Part #	RN2707JE(TE85L,F)
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - ثنائي القطب (bjt) - صفائف ، متحيزة مسبقًا
وصف	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	RN2707JE(TE85L,F) بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 08 - Oct 12 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

RN2707JE(TE85L,F) تحديد

رقم القطعة:	RN2707JE(TE85L,F)
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - ثنائي القطب (bjt) - صفائف ، متحيزة مسبقًا
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الترانزستور:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
جامع التيار (ic) (حد أقصى):	100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (حد أقصى):	50V
المقاوم - القاعدة (r1):	10kOhms
المقاوم - قاعدة باعث (r2):	47kOhms
الكسب الحالي للتيار المستمر (hfe) (دقيقة) @ ic ، vce:	80 @ 10mA, 5V
vce تشبع (حد أقصى) @ ib، ic:	300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع الجامع (حد أقصى):	100nA (ICBO)
التردد - الانتقال:	200MHz
أقصى القوة:	100mW
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة / حالة:	SOT-553
حزمة جهاز المورد:	ESV

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015