HN4A51JTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN4A51JTE85LF

HN4A51JTE85LF

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	HN4A51JTE85LF
LIXINC Part #	HN4A51JTE85LF
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف
وصف	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	HN4A51JTE85LF بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Jul 05 - Jul 09 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

HN4A51JTE85LF تحديد

رقم القطعة:	HN4A51JTE85LF
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الترانزستور:	2 PNP (Dual)
جامع التيار (ic) (حد أقصى):	100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (حد أقصى):	120V
vce تشبع (حد أقصى) @ ib، ic:	300mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع الجامع (حد أقصى):	100nA (ICBO)
الكسب الحالي للتيار المستمر (hfe) (دقيقة) @ ic ، vce:	200 @ 2mA, 6V
أقصى القوة:	300mW
التردد - الانتقال:	100MHz
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة / حالة:	SC-74A, SOT-753
حزمة جهاز المورد:	SMV

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015