MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation MT3S111P(TE12L,F) | MT3S111P(TE12L,F) Inventory, Best Pricing

MT3S111P(TE12L,F)

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	MT3S111P(TE12L,F)
LIXINC Part #	MT3S111P(TE12L,F)
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - الترددات اللاسلكية
وصف	RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	MT3S111P(TE12L,F) بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 22 - Sep 26 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

MT3S111P(TE12L,F) تحديد

رقم القطعة:	MT3S111P(TE12L,F)
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - الترددات اللاسلكية
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الترانزستور:	NPN
الجهد - انهيار باعث المجمع (حد أقصى):	6V
التردد - الانتقال:	8GHz
رقم الضوضاء (db typ @ f):	1.25dB @ 1GHz
يكسب:	10.5dB
أقصى القوة:	1W
الكسب الحالي للتيار المستمر (hfe) (دقيقة) @ ic ، vce:	200 @ 30mA, 5V
جامع التيار (ic) (حد أقصى):	100mA
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة / حالة:	TO-243AA
حزمة جهاز المورد:	PW-MINI

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015