2SA965-Y,T6F(J | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA965-Y,T6F(J

2SA965-Y,T6F(J

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	2SA965-Y,T6F(J
LIXINC Part #	2SA965-Y,T6F(J
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - أحادي
وصف	TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	2SA965-Y,T6F(J بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 11 - Oct 15 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

2SA965-Y,T6F(J تحديد

رقم القطعة:	2SA965-Y,T6F(J
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - أحادي
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	-
طَرد:	Bulk
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الترانزستور:	PNP
جامع التيار (ic) (حد أقصى):	800 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (حد أقصى):	120 V
vce تشبع (حد أقصى) @ ib، ic:	1V @ 50mA, 500mA
التيار - قطع الجامع (حد أقصى):	100nA (ICBO)
الكسب الحالي للتيار المستمر (hfe) (دقيقة) @ ic ، vce:	80 @ 100mA, 5V
أقصى القوة:	900 mW
التردد - الانتقال:	120MHz
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة / حالة:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
حزمة جهاز المورد:	LSTM

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015