AUIRF9952Q | IR (Infineon Technologies) AUIRF9952Q | AUIRF9952Q Inventory, Best Pricing

AUIRF9952Q

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	AUIRF9952Q
LIXINC Part #	AUIRF9952Q
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - المصفوفات
وصف	MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	AUIRF9952Q بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 26 - Sep 30 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

AUIRF9952Q تحديد

رقم القطعة:	AUIRF9952Q
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - المصفوفات
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	HEXFET®
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	N and P-Channel
ميزة فيت:	Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	30V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	3.5A, 2.3A
rds on (max) @ id، vgs:	100mOhm @ 2.2A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	3V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	14nC @ 10V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	190pF @ 15V
أقصى القوة:	2W
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة / حالة:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد:	8-SO

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015