BSM600D12P3G001 | ROHM Semiconductor BSM600D12P3G001 | BSM600D12P3G001 Inventory, Best Pricing

BSM600D12P3G001

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	BSM600D12P3G001
LIXINC Part #	BSM600D12P3G001
الصانع	ROHM Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - المصفوفات
وصف	1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	BSM600D12P3G001 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 22 - Sep 26 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

BSM600D12P3G001 تحديد

رقم القطعة:	BSM600D12P3G001
ماركة:	ROHM Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - المصفوفات
الصانع:	ROHM Semiconductor
مسلسل:	-
طَرد:	Bulk
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة فيت:	Silicon Carbide (SiC)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	1200V (1.2kV)
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	600A (Tc)
rds on (max) @ id، vgs:	-
vgs (th) (max) @ id:	5.6V @ 182mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	-
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	31000pF @ 10V
أقصى القوة:	2450W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Chassis Mount
حزمة / حالة:	Module
حزمة جهاز المورد:	Module

APTC60DDAM45T1G	MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1	934 المزيد عند الطلب
DMN3035LWN-13	MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8	930 المزيد عند الطلب
FW256-TL-E	N-CHANNEL SILICON MOSFET	3888 المزيد عند الطلب
TM3055-TL-E	N-CHANNEL MOSFET	112928 المزيد عند الطلب
APTC60DDAM24T3G	MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3	980 المزيد عند الطلب
RFIS70N06SM	70A, 60V, 0.014OHM, N-CHANNEL,	1947 المزيد عند الطلب
RF1S50N06SM9AS2551	50A, 60V, 0.022 OHM, ESD RATED,	802 المزيد عند الطلب
NTMFD2D4N03P8	MOSFET 2N-CH 30V 8PQFN	989 المزيد عند الطلب
DMNH6065SPDW-13	MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506	983 المزيد عند الطلب
RF1S42N03L	42A, 30V, 0.025 OHMS, N-CHANNEL	1213 المزيد عند الطلب
CAB011M12FM3	1200V SIC H-BRIDGE MODULE	866 المزيد عند الطلب
APTM50HM35FG	MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6	989 المزيد عند الطلب
FDPC1012S	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	9627 المزيد عند الطلب

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1785.00000	$1785

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015