IPD50N06S4L12ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPD50N06S4L12ATMA2 | IPD50N06S4L12ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPD50N06S4L12ATMA2

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IPD50N06S4L12ATMA2
LIXINC Part #	IPD50N06S4L12ATMA2
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IPD50N06S4L12ATMA2 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 08 - Oct 12 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IPD50N06S4L12ATMA2 تحديد

رقم القطعة:	IPD50N06S4L12ATMA2
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	60 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	50A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	12mOhm @ 50A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.2V @ 20µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±16V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	2890 pF @ 25 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	PG-TO252-3-11
حزمة / حالة:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015