IMZ120R045M1XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMZ120R045M1XKSA1 | IMZ120R045M1XKSA1 Inventory, Best Pricing

IMZ120R045M1XKSA1

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IMZ120R045M1XKSA1
LIXINC Part #	IMZ120R045M1XKSA1
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IMZ120R045M1XKSA1 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 10 - Oct 14 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IMZ120R045M1XKSA1 تحديد

رقم القطعة:	IMZ120R045M1XKSA1
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	CoolSiC™
طَرد:	Tray
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	1200 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	52A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	15V
rds on (max) @ id، vgs:	59mOhm @ 20A, 15V
vgs (th) (max) @ id:	5.7V @ 10mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 15 V
vgs (ماكس):	+20V, -10V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	1900 pF @ 800 V
ميزة فيت:	Current Sensing
تبديد الطاقة (حد أقصى):	228W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة جهاز المورد:	PG-TO247-4-1
حزمة / حالة:	TO-247-4

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$18.33000	$18.33

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015