IPSA70R1K4P7SAKMA1 | IR (Infineon Technologies) IPSA70R1K4P7SAKMA1 | IPSA70R1K4P7SAKMA1 Inventory, Best Pricing

IPSA70R1K4P7SAKMA1

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IPSA70R1K4P7SAKMA1
LIXINC Part #	IPSA70R1K4P7SAKMA1
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IPSA70R1K4P7SAKMA1 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 10 - Oct 14 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IPSA70R1K4P7SAKMA1 تحديد

رقم القطعة:	IPSA70R1K4P7SAKMA1
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	CoolMOS™ P7
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	700 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	4A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	1.4Ohm @ 700mA, 10V
vgs (th) (max) @ id:	3.5V @ 40µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	4.7 nC @ 400 V
vgs (ماكس):	±16V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	158 pF @ 400 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	22.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة جهاز المورد:	PG-TO251-3
حزمة / حالة:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015