IPN80R3K3P7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPN80R3K3P7ATMA1 | IPN80R3K3P7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPN80R3K3P7ATMA1

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IPN80R3K3P7ATMA1
LIXINC Part #	IPN80R3K3P7ATMA1
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IPN80R3K3P7ATMA1 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 24 - Sep 28 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IPN80R3K3P7ATMA1 تحديد

رقم القطعة:	IPN80R3K3P7ATMA1
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	CoolMOS™ P7
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	800 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	1.9A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	3.3Ohm @ 590mA, 10V
vgs (th) (max) @ id:	3.5V @ 30µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	5.8 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	120 pF @ 500 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	6.1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	PG-SOT223
حزمة / حالة:	TO-261-3

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015