ES6U1T2R | ROHM Semiconductor ES6U1T2R | ES6U1T2R Inventory, Best Pricing

ES6U1T2R

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	ES6U1T2R
LIXINC Part #	ES6U1T2R
الصانع	ROHM Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	ES6U1T2R بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Jul 07 - Jul 11 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

ES6U1T2R تحديد

رقم القطعة:	ES6U1T2R
ماركة:	ROHM Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	ROHM Semiconductor
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Last Time Buy
نوع الجنين:	P-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	12 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	1.3A (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id، vgs:	260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	1V @ 1mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	2.4 nC @ 4.5 V
vgs (ماكس):	±10V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	290 pF @ 6 V
ميزة فيت:	Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (حد أقصى):	700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	6-WEMT
حزمة / حالة:	SOT-563, SOT-666

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015