RD3G07BATTL1 | ROHM Semiconductor RD3G07BATTL1 | RD3G07BATTL1 Inventory, Best Pricing

RD3G07BATTL1

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	RD3G07BATTL1
LIXINC Part #	RD3G07BATTL1
الصانع	ROHM Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	RD3G07BATTL1 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 25 - Sep 29 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

RD3G07BATTL1 تحديد

رقم القطعة:	RD3G07BATTL1
ماركة:	ROHM Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	ROHM Semiconductor
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	P-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	40 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	70A (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	7.1mOhm @ 70A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	105 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	5550 pF @ 20 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	101W (Ta)
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	TO-252
حزمة / حالة:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.16000	$2.16

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015