TJ20S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TJ20S04M3L(T6L1,NQ | TJ20S04M3L(T6L1,NQ Inventory, Best Pricing

TJ20S04M3L(T6L1,NQ

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	TJ20S04M3L(T6L1,NQ
LIXINC Part #	TJ20S04M3L(T6L1,NQ
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	TJ20S04M3L(T6L1,NQ بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 29 - Oct 03 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

TJ20S04M3L(T6L1,NQ تحديد

رقم القطعة:	TJ20S04M3L(T6L1,NQ
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	U-MOSVI
طَرد:	Tape & Reel (TR)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	P-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	40 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	20A (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	6V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	22.2mOhm @ 10A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	3V @ 1mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	37 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	+10V, -20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	1850 pF @ 10 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	41W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	DPAK+
حزمة / حالة:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.53900	$0.539
2000	$0.52769	$1055.38

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015