IAUS165N08S5N029ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IAUS165N08S5N029ATMA1 | IAUS165N08S5N029ATMA1 Inventory, Best Pricing

IAUS165N08S5N029ATMA1

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IAUS165N08S5N029ATMA1
LIXINC Part #	IAUS165N08S5N029ATMA1
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IAUS165N08S5N029ATMA1 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 06 - Oct 10 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IAUS165N08S5N029ATMA1 تحديد

رقم القطعة:	IAUS165N08S5N029ATMA1
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	80 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	165A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	6V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	3.8V @ 108µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	90 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	6370 pF @ 40 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	167W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	PG-HSOG-8-1
حزمة / حالة:	8-PowerSMD, Gull Wing

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015