IXFH52N50P2 | Wickmann / Littelfuse IXFH52N50P2 | IXFH52N50P2 Inventory, Best Pricing

IXFH52N50P2

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IXFH52N50P2
LIXINC Part #	IXFH52N50P2
الصانع	Wickmann / Littelfuse
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IXFH52N50P2 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 21 - Sep 25 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IXFH52N50P2 تحديد

رقم القطعة:	IXFH52N50P2
ماركة:	Wickmann / Littelfuse
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Wickmann / Littelfuse
مسلسل:	HiPerFET™, PolarHV™
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	500 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	52A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	120mOhm @ 26A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4.5V @ 4mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	113 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±30V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	6800 pF @ 25 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	960W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة جهاز المورد:	TO-247AD (IXFH)
حزمة / حالة:	TO-247-3

SIHF22N65E-GE3	MOSFET N-CH 650V 22A TO220	892 المزيد عند الطلب
IRFU1N60APBF	MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA	3393 المزيد عند الطلب
IRFIBE30GPBF	MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3	1691 المزيد عند الطلب
FDB603AL	N-CHANNEL POWER MOSFET	40008 المزيد عند الطلب
IXFT320N10T2	MOSFET N-CH 100V 320A TO268	1314 المزيد عند الطلب
BB502CBS-TL-H	RF N-CHANNEL MOSFET	60891 المزيد عند الطلب
IRFR24N15DPBF	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET	6472 المزيد عند الطلب
IRFF232	N-CHANNEL POWER MOSFET	1320 المزيد عند الطلب
SIRA88DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8	1545 المزيد عند الطلب
IRF2204PBF	MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB	845 المزيد عند الطلب
IPP037N08N3G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	925 المزيد عند الطلب
SI7370DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8	1515 المزيد عند الطلب
TN0620N3-G-P002	MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3	4643 المزيد عند الطلب

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015