BSP322PH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSP322PH6327XTSA1 | BSP322PH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSP322PH6327XTSA1

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	BSP322PH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSP322PH6327XTSA1
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	BSP322PH6327XTSA1 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 09 - Oct 13 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

BSP322PH6327XTSA1 تحديد

رقم القطعة:	BSP322PH6327XTSA1
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	SIPMOS®
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	P-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	100 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	1A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	800mOhm @ 1A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	1V @ 380µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	16.5 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	372 pF @ 25 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	PG-SOT223-4
حزمة / حالة:	TO-261-4, TO-261AA

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015