XPN9R614MC,L1XHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation XPN9R614MC,L1XHQ

XPN9R614MC,L1XHQ

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	XPN9R614MC,L1XHQ
LIXINC Part #	XPN9R614MC,L1XHQ
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	XPN9R614MC,L1XHQ بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 25 - Sep 29 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

XPN9R614MC,L1XHQ تحديد

رقم القطعة:	XPN9R614MC,L1XHQ
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	U-MOSVI
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	P-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	40 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	40A (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	9.6mOhm @ 20A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.1V @ 500µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	+10V, -20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	3000 pF @ 10 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	840mW (Ta), 100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	175°C
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	8-TSON Advance (3.3x3.6)
حزمة / حالة:	8-PowerVDFN

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.47000	$1.47

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015