SIHB12N60ET1-GE3 | Vishay / Siliconix SIHB12N60ET1-GE3 | SIHB12N60ET1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIHB12N60ET1-GE3

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	SIHB12N60ET1-GE3
LIXINC Part #	SIHB12N60ET1-GE3
الصانع	Vishay / Siliconix
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 600V 12A TO263
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	SIHB12N60ET1-GE3 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 27 - Oct 01 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

SIHB12N60ET1-GE3 تحديد

رقم القطعة:	SIHB12N60ET1-GE3
ماركة:	Vishay / Siliconix
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Vishay / Siliconix
مسلسل:	E
طَرد:	Bulk
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	600 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	12A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	380mOhm @ 6A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	58 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±30V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	937 pF @ 100 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	147W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	TO-263 (D²Pak)
حزمة / حالة:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015