BSC079N10NSGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC079N10NSGATMA1 | BSC079N10NSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC079N10NSGATMA1

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	BSC079N10NSGATMA1
LIXINC Part #	BSC079N10NSGATMA1
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	BSC079N10NSGATMA1 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 22 - Sep 26 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

BSC079N10NSGATMA1 تحديد

رقم القطعة:	BSC079N10NSGATMA1
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	OptiMOS™
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Not For New Designs
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	100 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	13.4A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	7.9mOhm @ 50A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 110µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	87 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	5900 pF @ 50 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	PG-TDSON-8-1
حزمة / حالة:	8-PowerTDFN

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.87000	$2.87
5000	$1.31554	$6577.7

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015