RD3L08BGNTL | ROHM Semiconductor RD3L08BGNTL | RD3L08BGNTL Inventory, Best Pricing

RD3L08BGNTL

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	RD3L08BGNTL
LIXINC Part #	RD3L08BGNTL
الصانع	ROHM Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 60V 80A TO252
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	RD3L08BGNTL بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 22 - Sep 26 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

RD3L08BGNTL تحديد

رقم القطعة:	RD3L08BGNTL
ماركة:	ROHM Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	ROHM Semiconductor
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	60 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	80A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	5.5mOhm @ 80A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.5V @ 100µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	71 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	3620 pF @ 30 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	119W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	TO-252
حزمة / حالة:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.42000	$2.42

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015