NVD5865NLT4G | Rochester Electronics NVD5865NLT4G | NVD5865NLT4G Inventory, Best Pricing

NVD5865NLT4G

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	NVD5865NLT4G
LIXINC Part #	NVD5865NLT4G
الصانع	Rochester Electronics
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	NVD5865NLT4G بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 22 - Oct 26 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

NVD5865NLT4G تحديد

رقم القطعة:	NVD5865NLT4G
ماركة:	Rochester Electronics
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Rochester Electronics
مسلسل:	-
طَرد:	Bulk
حالة الجزء:	Not For New Designs
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	60 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	10A (Ta), 46A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	16mOhm @ 19A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	1.4 pF @ 25 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	3.1W (Ta), 71W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	DPAK
حزمة / حالة:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.27000	$0.27

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015