BSB012NE2LXIXUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSB012NE2LXIXUMA1 | BSB012NE2LXIXUMA1 Inventory, Best Pricing

BSB012NE2LXIXUMA1

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	BSB012NE2LXIXUMA1
LIXINC Part #	BSB012NE2LXIXUMA1
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	BSB012NE2LXIXUMA1 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 22 - Oct 26 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

BSB012NE2LXIXUMA1 تحديد

رقم القطعة:	BSB012NE2LXIXUMA1
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	OptiMOS™
طَرد:	Tape & Reel (TR)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	25 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	170A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	1.2mOhm @ 30A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	82 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	5852 pF @ 12 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	2.8W (Ta), 57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	MG-WDSON-2, CanPAK M™
حزمة / حالة:	3-WDSON

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.20312	$1.20312
5000	$1.18653	$5932.65

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015