SQ3419AEEV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQ3419AEEV-T1_GE3 | SQ3419AEEV-T1

SQ3419AEEV-T1_GE3

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	SQ3419AEEV-T1_GE3
LIXINC Part #	SQ3419AEEV-T1_GE3
الصانع	Vishay / Siliconix
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	SQ3419AEEV-T1_GE3 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 23 - Oct 27 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

SQ3419AEEV-T1_GE3 تحديد

رقم القطعة:	SQ3419AEEV-T1_GE3
ماركة:	Vishay / Siliconix
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Vishay / Siliconix
مسلسل:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	P-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	40 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	6.9A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	61mOhm @ 2.5A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	12.5 nC @ 4.5 V
vgs (ماكس):	±12V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	975 pF @ 20 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	6-TSOP
حزمة / حالة:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015