SISS60DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SISS60DN-T1-GE3 | SISS60DN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SISS60DN-T1-GE3

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	SISS60DN-T1-GE3
LIXINC Part #	SISS60DN-T1-GE3
الصانع	Vishay / Siliconix
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	SISS60DN-T1-GE3 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 05 - Oct 09 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

SISS60DN-T1-GE3 تحديد

رقم القطعة:	SISS60DN-T1-GE3
ماركة:	Vishay / Siliconix
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Vishay / Siliconix
مسلسل:	TrenchFET® Gen IV
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	30 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	1.31mOhm @ 20A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	85.5 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	+16V, -12V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	3960 pF @ 15 V
ميزة فيت:	Schottky Diode (Body)
تبديد الطاقة (حد أقصى):	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	PowerPAK® 1212-8S
حزمة / حالة:	PowerPAK® 1212-8S

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.58000	$1.58

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015