IMW120R350M1HXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMW120R350M1HXKSA1 | IMW120R350M1HXKSA1 Inventory, Best Pricing

IMW120R350M1HXKSA1

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IMW120R350M1HXKSA1
LIXINC Part #	IMW120R350M1HXKSA1
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IMW120R350M1HXKSA1 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Aug 15 - Aug 19 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IMW120R350M1HXKSA1 تحديد

رقم القطعة:	IMW120R350M1HXKSA1
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	CoolSiC™
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	1.2 kV
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	4.7A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	15V, 18V
rds on (max) @ id، vgs:	455mOhm @ 2A, 18V
vgs (th) (max) @ id:	5.7V @ 1mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	5.3 nC @ 18 V
vgs (ماكس):	+23V, -7V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	182 pF @ 800 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة جهاز المورد:	PG-TO247-3-41
حزمة / حالة:	TO-247-3

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$7.23000	$7.23

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015