IRF6706S2TR1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF6706S2TR1PBF | IRF6706S2TR1PBF Inventory, Best Pricing

IRF6706S2TR1PBF

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IRF6706S2TR1PBF
LIXINC Part #	IRF6706S2TR1PBF
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IRF6706S2TR1PBF بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 09 - Oct 13 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IRF6706S2TR1PBF تحديد

رقم القطعة:	IRF6706S2TR1PBF
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	HEXFET®
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	25 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	17A (Ta), 63A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	3.8mOhm @ 17A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 4.5 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	1810 pF @ 13 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	1.8W (Ta), 26W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	DIRECTFET S1
حزمة / حالة:	DirectFET™ Isometric S1

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.10000	$1.1

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015