TSM60N1R4CH C5G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM60N1R4CH C5G | TSM60N1R4CH C5G Inventory, Best Pricing

TSM60N1R4CH C5G

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	TSM60N1R4CH C5G
LIXINC Part #	TSM60N1R4CH C5G
الصانع	TSC (Taiwan Semiconductor)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	TSM60N1R4CH C5G بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 08 - Oct 12 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

TSM60N1R4CH C5G تحديد

رقم القطعة:	TSM60N1R4CH C5G
ماركة:	TSC (Taiwan Semiconductor)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	TSC (Taiwan Semiconductor)
مسلسل:	-
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Not For New Designs
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	600 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	3.3A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	7.7 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±30V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	370 pF @ 100 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	38W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة جهاز المورد:	TO-251 (IPAK)
حزمة / حالة:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.49320	$0.4932
15000	$0.49320	$7398

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015