MVB50P03HDLT4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G

MVB50P03HDLT4G

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	MVB50P03HDLT4G
LIXINC Part #	MVB50P03HDLT4G
الصانع	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	MVB50P03HDLT4G بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 21 - Sep 25 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

MVB50P03HDLT4G تحديد

رقم القطعة:	MVB50P03HDLT4G
ماركة:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
مسلسل:	Automotive, AEC-Q101
طَرد:	Bulk
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	P-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	30 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	50A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	5V
rds on (max) @ id، vgs:	25mOhm @ 25A, 5V
vgs (th) (max) @ id:	2V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 5 V
vgs (ماكس):	±15V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	4.9 nF @ 25 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	D2PAK-3
حزمة / حالة:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015