IRF7807VD1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF7807VD1PBF | IRF7807VD1PBF Inventory, Best Pricing

IRF7807VD1PBF

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IRF7807VD1PBF
LIXINC Part #	IRF7807VD1PBF
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IRF7807VD1PBF بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 22 - Sep 26 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IRF7807VD1PBF تحديد

رقم القطعة:	IRF7807VD1PBF
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	FETKY™
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	30 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	8.3A (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V
rds on (max) @ id، vgs:	25mOhm @ 7A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	3V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 4.5 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	-
ميزة فيت:	Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (حد أقصى):	2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	8-SO
حزمة / حالة:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015