H7N1002LSTL-E | Renesas Electronics America H7N1002LSTL-E | H7N1002LSTL-E Inventory, Best Pricing

H7N1002LSTL-E

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	H7N1002LSTL-E
LIXINC Part #	H7N1002LSTL-E
الصانع	Renesas Electronics America
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	H7N1002LSTL-E بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 28 - Oct 02 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

H7N1002LSTL-E تحديد

رقم القطعة:	H7N1002LSTL-E
ماركة:	Renesas Electronics America
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Renesas Electronics America
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	100 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	75A (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	10mOhm @ 37.5A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	-
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	155 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	9700 pF @ 10 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	4-LDPAK
حزمة / حالة:	SC-83

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015