NVD4809NHT4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVD4809NHT4G

NVD4809NHT4G

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	NVD4809NHT4G
LIXINC Part #	NVD4809NHT4G
الصانع	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK-3
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	NVD4809NHT4G بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 25 - Sep 29 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

NVD4809NHT4G تحديد

رقم القطعة:	NVD4809NHT4G
ماركة:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	30 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	9A (Ta), 58A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 11.5V
rds on (max) @ id، vgs:	9mOhm @ 30A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	44 nC @ 11.5 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	2155 pF @ 12 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	1.3W (Ta), 52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	DPAK-3
حزمة / حالة:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015