NVD5802NT4G-TB01 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVD5802NT4G-TB01

NVD5802NT4G-TB01

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	NVD5802NT4G-TB01
LIXINC Part #	NVD5802NT4G-TB01
الصانع	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	NVD5802NT4G-TB01 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 10 - Oct 14 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

NVD5802NT4G-TB01 تحديد

رقم القطعة:	NVD5802NT4G-TB01
ماركة:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
مسلسل:	Automotive, AEC-Q101
طَرد:	Tape & Reel (TR)
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	40 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	16.4A (Ta), 101A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	4.4mOhm @ 50A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	5300 pF @ 12 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	DPAK
حزمة / حالة:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015