SSM3J307T(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3J307T(TE85L,F) | SSM3J307T(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM3J307T(TE85L,F)

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	SSM3J307T(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM3J307T(TE85L,F)
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET P-CH 20V 5A TSM
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	SSM3J307T(TE85L,F) بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 21 - Sep 25 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

SSM3J307T(TE85L,F) تحديد

رقم القطعة:	SSM3J307T(TE85L,F)
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	U-MOSV
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	P-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	20 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	5A (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id، vgs:	31mOhm @ 4A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	1V @ 1mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 4.5 V
vgs (ماكس):	±8V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	1170 pF @ 10 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	TSM
حزمة / حالة:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015