TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK4A60DB(STA4,Q,M) | TK4A60DB(STA4,Q,M) Inventory, Best Pricing

TK4A60DB(STA4,Q,M)

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	TK4A60DB(STA4,Q,M)
LIXINC Part #	TK4A60DB(STA4,Q,M)
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	TK4A60DB(STA4,Q,M) بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 22 - Sep 26 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

TK4A60DB(STA4,Q,M) تحديد

رقم القطعة:	TK4A60DB(STA4,Q,M)
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	π-MOSVII
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Last Time Buy
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	600 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	3.7A (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	2Ohm @ 1.9A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4.4V @ 1mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±30V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	540 pF @ 25 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة جهاز المورد:	TO-220SIS
حزمة / حالة:	TO-220-3 Full Pack

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015