NXH35C120L2C2S1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NXH35C120L2C2S1G

NXH35C120L2C2S1G

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	NXH35C120L2C2S1G
LIXINC Part #	NXH35C120L2C2S1G
الصانع	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - igbts - وحدات
وصف	IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	NXH35C120L2C2S1G بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 08 - Oct 12 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

NXH35C120L2C2S1G تحديد

رقم القطعة:	NXH35C120L2C2S1G
ماركة:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - igbts - وحدات
الصانع:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
مسلسل:	-
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Active
نوع igbt:	-
إعدادات:	Three Phase Inverter with Brake
الجهد - انهيار باعث المجمع (حد أقصى):	1200 V
جامع التيار (ic) (حد أقصى):	35 A
أقصى القوة:	20 mW
vce (on) (max) @ vge ، ic:	2.4V @ 15V, 35A
التيار - قطع الجامع (حد أقصى):	250 µA
سعة الإدخال (cies) @ vce:	8.33 nF @ 20 V
مدخل:	Three Phase Bridge Rectifier
ntc الثرمستور:	Yes
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة / حالة:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
حزمة جهاز المورد:	26-DIP

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$44.22000	$44.22

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015