TC7SZ00FE,LJ(CT | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TC7SZ00FE,LJ(CT

TC7SZ00FE,LJ(CT

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	TC7SZ00FE,LJ(CT
LIXINC Part #	TC7SZ00FE,LJ(CT
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	دوائر متكاملة › منطق - بوابات ومحولات
وصف	IC GATE NAND 1CH 2-INP ESV
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	TC7SZ00FE,LJ(CT بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Jul 05 - Jul 09 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

TC7SZ00FE,LJ(CT تحديد

رقم القطعة:	TC7SZ00FE,LJ(CT
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	دوائر متكاملة
تصنيف فرعي:	منطق - بوابات ومحولات
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	TC7SZ
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع المنطق:	NAND Gate
عدد الدوائر:	1
عدد المدخلات:	2
سمات:	-
الجهد - العرض:	1.65V ~ 5.5V
الحالي - هادئ (حد أقصى):	2 µA
التيار - الناتج مرتفع ومنخفض:	32mA, 32mA
مستوى المنطق - منخفض:	-
مستوى المنطق - مرتفع:	-
الحد الأقصى لتأخير الانتشار @ v ، كحد أقصى cl:	3.6ns @ 5V, 50pF
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 85°C
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	ESV
حزمة / حالة:	SOT-553

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015