TH58BVG2S3HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TH58BVG2S3HBAI6

TH58BVG2S3HBAI6

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	TH58BVG2S3HBAI6
LIXINC Part #	TH58BVG2S3HBAI6
الصانع	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
فئة	دوائر متكاملة › ذاكرة
وصف	IC FLASH 4G 67VFBGA
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	TH58BVG2S3HBAI6 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Jul 07 - Jul 11 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

TH58BVG2S3HBAI6 تحديد

رقم القطعة:	TH58BVG2S3HBAI6
ماركة:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	دوائر متكاملة
تصنيف فرعي:	ذاكرة
الصانع:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
مسلسل:	Benand™
طَرد:	Tray
حالة الجزء:	Active
نوع الذاكرة:	Non-Volatile
تنسيق الذاكرة:	FLASH
تكنولوجيا:	FLASH - NAND (SLC)
حجم الذاكرة:	4G (512M x 8)
واجهة الذاكرة:	-
تردد الساعة:	-
وقت دورة الكتابة - كلمة ، صفحة:	-
وقت الوصول:	-
الجهد - العرض:	2.7V ~ 3.6V
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 85°C (TA)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة / حالة:	67-VFBGA
حزمة جهاز المورد:	67-VFBGA (6.5x8)

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$5.31000	$5.31

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015