MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Inventory, Best Pricing

MB85R256GPF-G-BND-ERE1

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
LIXINC Part #	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
الصانع	Fujitsu Electronics America, Inc.
فئة	دوائر متكاملة › ذاكرة
وصف	IC FRAM 256KBIT PARALLEL
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	MB85R256GPF-G-BND-ERE1 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 26 - Oct 30 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

MB85R256GPF-G-BND-ERE1 تحديد

رقم القطعة:	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
ماركة:	Fujitsu Electronics America, Inc.
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	دوائر متكاملة
تصنيف فرعي:	ذاكرة
الصانع:	Fujitsu Electronics America, Inc.
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الذاكرة:	Non-Volatile
تنسيق الذاكرة:	FRAM
تكنولوجيا:	FRAM (Ferroelectric RAM)
حجم الذاكرة:	256Kb (32K x 8)
واجهة الذاكرة:	Parallel
تردد الساعة:	-
وقت دورة الكتابة - كلمة ، صفحة:	150ns
وقت الوصول:	150 ns
الجهد - العرض:	2.7V ~ 3.6V
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 85°C (TA)
نوع التركيب:	-
حزمة / حالة:	-
حزمة جهاز المورد:	-

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015