TK39J60W5,S1VQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	TK39J60W5,S1VQ
LIXINC Part #	TK39J60W5,S1VQ
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	TK39J60W5,S1VQ بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 08 - Oct 12 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

TK39J60W5,S1VQ تحديد

رقم القطعة:	TK39J60W5,S1VQ
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	DTMOSIV
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	600 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	38.8A (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	3.7V @ 1.9mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	135 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±30V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	4100 pF @ 300 V
ميزة فيت:	Super Junction
تبديد الطاقة (حد أقصى):	270W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة جهاز المورد:	TO-3P(N)
حزمة / حالة:	TO-3P-3, SC-65-3

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015