DMN26D0UFB4-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	DMN26D0UFB4-7
LIXINC Part #	DMN26D0UFB4-7
الصانع	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	DMN26D0UFB4-7 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 25 - Sep 29 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

DMN26D0UFB4-7 تحديد

رقم القطعة:	DMN26D0UFB4-7
ماركة:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	20 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	230mA (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id، vgs:	3Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	1.1V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (ماكس):	±10V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	14.1 pF @ 15 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	350mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	X2-DFN1006-3
حزمة / حالة:	3-XFDFN

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015