AUIRF7669L2TR | IR (Infineon Technologies) AUIRF7669L2TR | AUIRF7669L2TR Inventory, Best Pricing

AUIRF7669L2TR

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	AUIRF7669L2TR
LIXINC Part #	AUIRF7669L2TR
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	AUIRF7669L2TR بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 26 - Sep 30 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

AUIRF7669L2TR تحديد

رقم القطعة:	AUIRF7669L2TR
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	HEXFET®
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	100 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	19A (Ta), 114A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	4.4mOhm @ 68A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	5V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	120 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	5660 pF @ 25 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	3.3W (Ta), 100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	DIRECTFET L8
حزمة / حالة:	DirectFET™ Isometric L8

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$4.54633	$4.54633
4000	$2.77941	$11117.64

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015