NTLJF4156NT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	NTLJF4156NT1G
LIXINC Part #	NTLJF4156NT1G
الصانع	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	NTLJF4156NT1G بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 12 - Sep 16 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

NTLJF4156NT1G تحديد

رقم القطعة:	NTLJF4156NT1G
ماركة:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	30 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	2.5A (Tj)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id، vgs:	70mOhm @ 2A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	1V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	6.5 nC @ 4.5 V
vgs (ماكس):	±8V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	427 pF @ 15 V
ميزة فيت:	Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (حد أقصى):	710mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	6-WDFN (2x2)
حزمة / حالة:	6-WDFN Exposed Pad

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015