SSM3J15FV,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3J15FV,L3F

SSM3J15FV,L3F

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	SSM3J15FV,L3F
LIXINC Part #	SSM3J15FV,L3F
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	SSM3J15FV,L3F بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 08 - Oct 12 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

SSM3J15FV,L3F تحديد

رقم القطعة:	SSM3J15FV,L3F
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	π-MOSVI
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	P-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	30 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	100mA (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	2.5V, 4V
rds on (max) @ id، vgs:	12Ohm @ 10mA, 4V
vgs (th) (max) @ id:	1.7V @ 100µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	9.1 pF @ 3 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	150mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	VESM
حزمة / حالة:	SOT-723

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015