IPD079N06L3GBTMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD079N06L3GBTMA1 | IPD079N06L3GBTMA1 Inventory, Best Pricing

IPD079N06L3GBTMA1

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IPD079N06L3GBTMA1
LIXINC Part #	IPD079N06L3GBTMA1
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IPD079N06L3GBTMA1 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 25 - Sep 29 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IPD079N06L3GBTMA1 تحديد

رقم القطعة:	IPD079N06L3GBTMA1
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	OptiMOS™
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	60 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	50A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	7.9mOhm @ 50A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.2V @ 34µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 4.5 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	4900 pF @ 30 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	79W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	PG-TO252-3
حزمة / حالة:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MCPF05N80-BP	MOSFET N-CH 800V 5A TO220F	1143 المزيد عند الطلب
TJ10S04M3L(T6L1,NQ	MOSFET P-CH 40V 10A DPAK	852 المزيد عند الطلب
IPD65R600C6BTMA1	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	3762 المزيد عند الطلب
IRFB11N50APBF-BE3	MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB	1886 المزيد عند الطلب
IRF7490TRPBF	MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO	1303 المزيد عند الطلب
FDMS8050	MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN	269296925 المزيد عند الطلب
SCT3160KW7TL	TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7	1899 المزيد عند الطلب
SPP80N06S-08	N-CHANNEL POWER MOSFET	2956 المزيد عند الطلب
BSC120N03LSG	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	2971 المزيد عند الطلب
FDMC5614P	MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP	938 المزيد عند الطلب
AUIRFS8408-7TRL	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK	1012 المزيد عند الطلب
VN0606L-G	MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3	1766 المزيد عند الطلب
NP36N055HLE-AY	N-CHANNEL POWER MOSFET	1975 المزيد عند الطلب

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015