TK3R1P04PL,RQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK3R1P04PL,RQ

TK3R1P04PL,RQ

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	TK3R1P04PL,RQ
LIXINC Part #	TK3R1P04PL,RQ
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	TK3R1P04PL,RQ بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 07 - Oct 11 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

TK3R1P04PL,RQ تحديد

رقم القطعة:	TK3R1P04PL,RQ
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	U-MOSIX-H
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	40 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	58A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	3.1mOhm @ 29A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.4V @ 500µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	60 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	4670 pF @ 20 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	87W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	175°C
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	DPAK
حزمة / حالة:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.10000	$1.1
2500	$0.55789	$1394.725

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015