TPN2R304PL,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN2R304PL,L1Q

TPN2R304PL,L1Q

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	TPN2R304PL,L1Q
LIXINC Part #	TPN2R304PL,L1Q
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	TPN2R304PL,L1Q بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 08 - Oct 12 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

TPN2R304PL,L1Q تحديد

رقم القطعة:	TPN2R304PL,L1Q
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	U-MOSIX-H
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	40 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	80A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	2.3mOhm @ 40A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.4V @ 0.3mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	41 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	3600 pF @ 20 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	630mW (Ta), 104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	175°C
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
حزمة / حالة:	8-PowerVDFN

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.91000	$0.91
5000	$0.30940	$1547

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015