SSM3K318R,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3K318R,LF

SSM3K318R,LF

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	SSM3K318R,LF
LIXINC Part #	SSM3K318R,LF
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	SSM3K318R,LF بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 10 - Oct 14 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

SSM3K318R,LF تحديد

رقم القطعة:	SSM3K318R,LF
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	U-MOSIV
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	60 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	2.5A (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	107mOhm @ 2A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.8V @ 1mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	7 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	235 pF @ 30 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	SOT-23F
حزمة / حالة:	SOT-23-3 Flat Leads

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015