IRFB59N10DPBF | Rochester Electronics IRFB59N10DPBF | IRFB59N10DPBF Inventory, Best Pricing

IRFB59N10DPBF

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IRFB59N10DPBF
LIXINC Part #	IRFB59N10DPBF
الصانع	Rochester Electronics
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	SMPS HEXFET POWER MOSFET
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IRFB59N10DPBF بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 22 - Sep 26 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IRFB59N10DPBF تحديد

رقم القطعة:	IRFB59N10DPBF
ماركة:	Rochester Electronics
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Rochester Electronics
مسلسل:	HEXFET®
طَرد:	Bulk
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	100 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	59A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	25mOhm @ 35.4A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	5.5V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	114 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±30V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	2.45 pF @ 25 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	3.8W (Ta), 200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة جهاز المورد:	TO-220AB
حزمة / حالة:	TO-220-3

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015